Выполняем проектирование и изготовление оригинальных высоковольтных, импульсных источниов питания согласно техническому заданию заказчика.
1. Генераторы высоковольных импульсов для СВЧ и лазерной техники, установок ионной имплантации, магнетронного распыления и др.
2. Источники питания электрохимических технологий.
3. Источники питания для заряда емкостных накопителей энергии для ускорительных установок.

СТЕН-40-25м
• Максимальная мощность – 1.25 кВт.
• Выходное напряжение, регулируемое – 1-40 кВ.
• Выходной зарядный ток – 25 мА.
• Режим стабилизации выходного тока с отсечкой по выходному напряжению.

СТЕН-20
• Максимальная мощность – 1.5 кВт.
• Выходное напряжение, регулируемое – 1-20 кВ.
• Выходной зарядный ток – 60 мА.
• Режим стабилизации выходного тока с отсечкой по выходному напряжению.

СТЕН
Стабилизатор тока емкостного накопителя СТЕН, состоящий из трех идентичных блоков размером 6U и маслонаполненного трансформаторно-выпрямительного узла. Применяется в составе ускорительной установки для получения мощных электронных пучков.
• Номинальная мощность – 50 кВт.
• Выходное напряжение, регулируемое – 1-20 кВ.
• Выходной зарядный ток – 5 А.
• Режим стабилизации выходного тока с отсечкой по выходному напряжению и режимом релейной подкачки.

ГИН, ГИР
Источник питания для заряда емкостного накопителя (ГИН) совмещенный с источником размагничивания силового повышающего трансформатора (ГИР). Используются в составе ускорительной установки для обеззараживания сточных вод.
• Номинальная мощность – 8 кВт.
• Выходное напряжение – 0.1-3 кВ, 2%.
• Выходной зарядный ток – 5 А.
• Режим стабилизации выходного тока с отсечкой по выходному напряжению и режимом релейной подкачки.
• Ручное и дистанционное управление (RS485/Modbus RTU).

Источник питания магнетронных распылительных систем МАГ-1кВ/10А
• Номинальная мощность – 6 кВт.
• Выходное напряжение (переменное для дуального магнетрона или импульсное с регулируемым коэффициентом заполнения) – 0.1-1.0кВ.
• Частота выходного напряжения – 40 кГц.
• Время срабатывания блока дугогашения – не более 2 мкс.
• Выходной ток – 0.1-10 А.
• Режим стабилизации выходного тока, напряжения или мощности – не хуже 2%.
• Ручное и дистанционное управление (RS485/Modbus RTU).

КОМПЛЕКСНЫЙ ИСТОЧНИК обеспечения РАЗРЯДА, НАКАЛА и МАГНИТНОГО поля для плазменных технологий
РНК-100/200/1.0 (ток разряда до 100А, 70В, ток накала 50Гц до 200 А, 20В, постоянный ток магнитной катушки до 1 А, 300В).
Варианты источников разряда и накала:
• Источник питания накала с выходным током повышенной частоты (до 10 кГц).
• Источник питания накала с регулируемыми параметрами выходного тока: постоянный, импульсный, переменный (в том числе ассиметричный). До 5 кГц.
• Импульсные источники разряда и накала с возможностью синхронизации. Уровень тока до 1000 А (до 2000А при сложении).

Модуляторный источник питания для установки нанесения алмазоподобных покрытий
• Номинальная мощность – 50 кВт.
• Максимальное выходное напряжение – 1000 В.
• Максимальный выходной ток – 50 А.
• Частота модуляции – 40 кГц.
• Частота переключения каналов – 1 кГц.
• Число каналов – 10. (Программируемая комбинация работы каналов).
• Режим стабилизации выходного тока – 1%.
• Ручное и дистанционное управление (RS485/Modbus RTU).

Источник питания смещения стола для плазменных технологий
• Номинальная мощность – 15 кВт.
• Выходное напряжение (постоянное/импульсное до 50 кГц) – 1000 В.
• Выходной ток – 1.0 - 15.0 А.
• Частота – 1 - 50 кГц.
• Коэффициент заполнения выходного импульса (в имп.реж.) – 0.1 - 0.9.
• Режим стабилизации выходного напряжения – не хуже 2%.
• Система дугогашения – не более 2 мкс.
Ручное и дистанционное управление (RS485/Modbus RTU).
